功成半导体

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超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场转换到体内场,相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C6系列,有效提升开关电源的效率及功率密度。

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